بررسی تکنولوژی Ultra Durable 2
در مادربردهای GIGABYTE
شرکت گیگابایت به عنوان یکی از سردمداران تولید و ساخت مادربرد در جهان و با سطح بالایی از محبوبیت و تقاضا،در کشور ایران نیز دارای سابقه درخشانی می باشد و محصولات ان از جمله پرفروش ترین های بازار مادربرد ایران محسوب می شود و به همین دلیل در حول و حوش ابن محصولات و فناوری های بکار رفته در انها،همواره سوالاتی مطرح است.یکی از همین سوالات،در رابطه با تکنولوژی ,Ultra Durable2 بکار رفته در مادربرد های GIGABYTE است.در حقیقت در سال 2006،شرکت GIGABYTE سری مادربردهای با طول عمر بالای خود را معرفی کرد.این شرکت با این کار،خود را به عنوان اولین تولید کننده مادربرد در سطح جهان،که به طور کامل از خازن های حالت جامد در محدوده وسیعی از محصولاتش استفاده می کند،معرفی نمود.امسال نیز GIGABYTE استاندارد صنعتی جدیدی را با معرفی نسخه دوم مادربردهای با طول عمر بالا،به بازار عرضه کرده است.این مادربردها به چوک های با هسته فریت و MOSFETهای با RDS پایین مجهز بوده و ضمنا از خازن های حالت جامد بر پایه چیپ ست های P35/G33 بهره می برد.اما این قطعات جدید که از انها نام بدیم،چه هستند و استفاده از انها چه مزایای را در بر خواهد داشت؟البته بهتر است قبل از اینکه به مزایای استفاده از نسخه دوم مادربردهای با طول عمر بالای GIGABYTE بپردازیم،اندکی درباره قطعات پایه مدار تغذیه مادربرد و چگونگی عملکرد انها صحبت کنیم.
در ابتدای مدار،MOSFETها قرار گرفته اند.MOSFET(یا ترانزیستور نیمه رسانای اکسید فلزی با اثر میدانی)،یک کلید است که جلوی جریان الکتریکی را گرفته و یا به ان اجازه می دهد درون الکتریکی جریان پیدا کند.اگر مدار در وضعیت تخلیه باشد،MOSFET به عنوان یک کلید خاموش عمل کرده و جلوی جریان الکتریکی ورودی را سد می کند تا مدار بتواند پیش از انکه جریان الکتریکی اضافی به ان وارد شود،جریان موجود را در مدار تخلیه کند.اگر MOSFET در وضعیت روشن باشد،جریان الکتریکی از درون ان عبور کرده،وارد قطعه بعدی مدار،که بنام چوک شناخته می شود،خواهد شد.چوک یک عنصر القایی است که انرژی را ذخیره کرده و جریان را تنظیم می کند.سیم پیچ داخل چوک نیز،از بروز تداخل های الکترومغناطیسی (EMI) و تداخل های فرکانس های رادیویی (RFI)،که منبع تغذیه ان را ایجاد کرده و برروی مدار تغذیه مادربرد تاثیر می گذارد،جلوگیری می کند.جریانالکتریکی پس از چوک وارد خازن می شود.خازن جریان الکتریکی را ذخیره کرده و ان را به قطعاتی که به ان نیاز دارند،مانند پردازنده،ارسال میکند.حال که یک دید کلی از چگونگی عملکرد مدارهای تغذیه به دست اوردیم،بیاید ببینیم که GIGABYTE چگونه طراحی سیستم مدار تغذیه نسخه دوم مادربرد های با طول عمر بالای خود را بهینه نموده است.در حقیقت استفاده از قطعات با کیفیت بالا بر روی مادربرد،عامل کلیدی برای بهره مندی از یک مادربرد با طول عم،قابلیت اطمینان و ثبات بالا است.این مساله یکی از مهمترین عوامل در طراحی مدار های تغذیه استکه خصوصیات برخی از مهمترین قطعات بر روی مادربرد را مشخص می کند.بر همین اساس GIGABYTE تصمیم به استفاغده از MOSFETهای با RDS پایین بر روی نسخه دوم مادربردهای با طول عمر بالای خود گرفته است.این MOSFTEها از انواعی هستند که زمان کمتری را برای تغییر حالت (سوییچ کردن) نیاز داشته و می توانند در مداراتی که ذخیره و تخلیه جریان در انها با سرعت بالایی انجام می شود،مورد استفاده قرار بگیرند.مزایای استفاده از چنین قطعات گران قیمتی این است که MOSFETهای با RDS پایین،دارای مصرف توان کمتری در هنگام تغییر حالت هستند.در نتیجه این قطعات می توانند سریعتر سوییچ کرده و در هنگام سوییچ کردن،گرمای کمتری تولید کنند.در حقیقت MOSFETهای با RDS پایین،در مقایسه با MOSFETهای معمولی،تا 16 درصد حرارت کمتری تولید می کنند.به عبارتی GIGABYTE در نسخه دوم مادربرد های با طول عمر بالای خود،از چوک های گران قیمت تر با هسته فریت،شامل ترکیبی از اکسید اهن و دیگر عناصر فلزی هستند که می توانند انرژی را در فرکانس های بالا،به مدت طولانی تری نسبت به چوک های با هسته اهنی رایج،نگهداری کنند.این مساله به این معنی است که تلفات توان در هسته این چوک ها کاهش یافته،و تداخل های الکترومغناطیسی هم نیز کمتر خواهد بود.بدین ترتیب در نتیجه این تغییرات،قابلیت اطمبنان سیستم افزایش می یابد.علاوه بر این،چوک های با هسته فریت، در برابر زنگ زدگی بر روی مادربردهای خود مواجه نشده باشند،اما به احتمال زیاد،کاربرانی که در مناطقی با اب و هوای شرجی،مانند مناطق ساحلی که میزان نمک و رطوبت در هوا بسیار زیاد است،زندگی می کنند،با این مشکل مواجه شده اند.در چنین شرایطی است که استفاده از چوک های با هسته فریت که در برابر زنگ زدگی مقاوم هستند،میتوانند تفوت های عمده ای را ایجاد کنند.همچنین در نسل دوم مادربردهای با طول عمر بالا،شرکت GIGABYTE یکبار دیگر از خازن های حالت جامد استفاده کرده است.این خازن های حالت جامد که انحصارا توسط سازندگان معتبر ژاپنی تولید می شوند،می توانند ثبات،قابلیت اطمینان و طول عمر بسیار بالاتری را در هنگام استفاده های عمومی از PC ایجاد کرده و علاوه بر این،توانای های اورکلاکینگ را تا حد بسیار زیادی افزایش دهند.
در واقع هنگامی که از خازن های حالت جامد به همراه چوک های با هسته فریت و MOSFETهای با RDS پایین استفاده می شود،این خازن ها می توانند به طول عمری تا 18 برابر بیش از خازن های معمولی الکترولیتی دست پیدا کنند.قابل ذکر است این نسل پلاتفورم مادربردهای GIGABYTE ،بر پایه چیپست های جدید و کار امد Intel P35 وG33 طراحی شده و کارایی بسیار بالایی را در هنگام انجام محاسبات پیچیده به نمایش می گذارد.علاوه بر این،همانطور که اشاره شد،با استفاده از قطعات با کیفیت بسیار بالا در طراحی نسخه دوم مادربردهای با طول عمر بالای شرکت GIGABYTE،مادربردهای سری P35/G33 دارای توانایی های فوق العاده در اورکلاکینگ بوده و قابلیت اطمینان و ثبات بسیار بالاتری را به مصرف کنندگان ارایه می کند.این مساله به علاقه مندان به بازی ها و یا کاربران حرفه ای کامپیوتر امکان می دهد تا به سیستم هایی با بالاترین میزان کارایی و اطمینان دسترسی پیدا کنند.بی شک توانایی های این سری از مادربردها،می تواند هر کسی را شگفت زده نماید.
آخرین ویرایش:
Google